औद्योगिक पीवीडी कम्पोजिट डिपोजिशन उपकरण को मल्टी {{0} कंपोनेंट, मल्टी {{1} लेयर, और नैनो {{2} कंपोजिट थिन - फिल्म निर्माण के लिए इंजीनियर किया गया है। फिल्म संरचना, इंटरफ़ेस तीक्ष्णता और अवशिष्ट तनाव को नियंत्रित करने के लिए सिस्टम एक एकल वैक्यूम वातावरण के भीतर थर्मल वाष्पीकरण, ई -बीम वाष्पीकरण, और मैग्नेट्रोन स्पटरिंग स्रोतों को एकीकृत करता है। निरंतर अनुसंधान एवं विकास और उत्पादन के लिए निर्मित, आर्किटेक्चर में कम आधार दबाव, मॉड्यूलर स्रोत कॉन्फ़िगरेशन और स्वच्छ रखरखाव पहुंच शामिल है।
तकनीकी निर्देश
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पैरामीटर |
विशिष्टता रेंज/मूल्य |
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परम वैक्यूम दबाव |
<= 5.0 x 10^-5 Pa (cryo/turbomolecular configuration) |
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पम्प-डाउन टाइम |
वायुमंडलीय 6.0 x 10^-4 Pa इंच<= 15 minutes (clean, dry, empty chamber) |
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सब्सट्रेट धारक का आकार |
कस्टम कॉन्फ़िगरेशन: व्यास . 600 मिमी फ्लैट प्लेट या ग्रहीय चरणों तक |
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फिल्म की मोटाई एकरूपता |
< +/- 1.5% across standard working area (verified via in-situ optical monitoring) |
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सब्सट्रेट तापमान रेंज |
परिवेश से 800 डिग्री सेल्सियस (पीआईडी नियंत्रित, क्वार्ट्ज हैलोजन/प्रतिरोधक हीटिंग) |
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निक्षेपण स्रोत |
मल्टी-पॉकेट ई-बीम गन, थर्मल बोट, और आरएफ/डीसी मैग्नेट्रोन कैथोड |
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चैम्बर सामग्री |
304एल/316एल स्टेनलेस स्टील, इलेक्ट्रो-पॉलिश भीतरी दीवारें (रा<= 0.2 um) |
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सिस्टम नियंत्रण इंटरफ़ेस |
पीएलसी + आईपीसी वास्तुकला, स्वचालित नुस्खा निष्पादन, स्काडा लॉगिंग |
प्रमुख विशेषताऐं
मॉड्यूलर स्रोत एकीकरण:चैंबर पोर्ट क्रॉस-{0}}संदूषण के बिना वाष्पीकरण और स्पटरिंग स्रोतों के एक साथ या अनुक्रमिक संचालन को समायोजित करते हैं।
गतिशील सब्सट्रेट हेरफेर:बहु-अक्ष ग्रहीय या स्विंग रोटेशन ड्राइव तंत्र जटिल 3डी सबस्ट्रेट्स और गहरी खाइयों पर अनुरूप कोटिंग सुनिश्चित करते हैं।
-सीटू मॉनिटरिंग पोर्ट में:क्वार्ट्ज क्रिस्टल माइक्रोबैलेंस (क्यूसीएम), ऑप्टिकल उत्सर्जन स्पेक्ट्रोस्कोपी (ओईएस), और ब्रॉडबैंड ऑप्टिकल मॉनिटरिंग (बीओएम) के लिए पूर्व-संरेखित फ्लैंज।
उच्च-शुद्धता वैक्यूम अखंडता:धातु -सीलबंद कॉनफ्लैट (सीएफ) फ्लैंज, वायवीय गेट वाल्व, और हीलियम मास स्पेक्ट्रोमीटर रिसाव परीक्षण 1.0 x 10^-10 Pa*m3/s तक।
स्वचालित इंटरलॉक सुरक्षा:वास्तविक समय सेंसर फीडबैक ठंडा पानी की विफलता, संपीड़ित हवा की हानि और अधिक तापमान विसंगतियों से बचाता है।
वैक्यूम सिस्टम कॉन्फ़िगरेशन
रफ़िंग एवं रूट्स पंप्स:रूट ब्लोअर के साथ संयुक्त ऑयल फ्री ड्राई स्क्रू पंप हाइड्रोकार्बन को प्रक्रिया कक्ष में बैकस्ट्रीमिंग से रोकते हैं।
उच्च-वैक्यूम पंप:लक्ष्य गैस लोड आवश्यकताओं के अनुसार चयनित चुंबकीय रूप से उत्तोलित टर्बोमोलेक्यूलर पंप या बंद {{0}लूप हीलियम क्रायोजेनिक पंप।
दबाव विनियमन:कैपेसिटेंस मैनोमीटर के साथ एकीकृत थ्रॉटल वाल्व नियंत्रक प्रतिक्रियाशील रन के दौरान स्थिर प्रक्रिया दबाव (0.1 Pa से 10 Pa) बनाए रखते हैं।
सामग्री और सब्सट्रेट संगतता
निक्षेपण सामग्री
धातुएँ:Ti, Al, Cr, Cu, Au, Ag, Ni, Mo, W, Pt
ऑक्साइड और डाइलेक्ट्रिक्स:SiO2, TiO2, Ta2O5, Al2O3, HfO2
नाइट्राइड और कार्बाइड:TiN, TiAlN, CrN, Si3N4
सब्सट्रेट सामग्री
अर्धचालक:सिलिकॉन वेफर्स (100 मिमी से 300 मिमी), ग्लास, क्वार्ट्ज, नीलम
धातु एवं मिश्र धातु:स्टेनलेस स्टील, टाइटेनियम मिश्र धातु, उपकरण स्टील, सुपर मिश्र धातु
सिरेमिक और पॉलिमर:एलुमिना, ज़िरकोनिया, पॉलीमाइड फ़िल्में
अनुप्रयोग
ऑप्टिकल हस्तक्षेप फ़िल्टर:लेज़रों और सेंसरों के लिए मल्टी{{0}लेयर एंटी{{1}रिफ्लेक्टिव (एआर) कोटिंग्स, बैंडपास फिल्टर और हाई{2}}रिफ्लेक्टर दर्पण।
प्रतिरोधी कठोर कोटिंग्स पहनें: सटीक काटने वाले उपकरणों और ऑटोमोटिव वाल्वट्रेन पर नैनोकम्पोजिट नाइट्राइड कोटिंग्स (TiAlN/Si3N4)।
माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक पतली फिल्में:सेमीकंडक्टर पैकेजिंग के लिए प्रवाहकीय बाधा परतें, बीज परतें और संपर्क धातुकरण स्टैक।
कार्यात्मक ऊर्जा फिल्में:फोटोवोल्टिक और सेंसर उपकरणों के लिए पारदर्शी प्रवाहकीय ऑक्साइड (टीसीओ) और अवशोषक परतें।
अनुकूलन विकल्प
चैम्बर आयाम:आर एंड डी पैमाने (400 मिमी घन) से उत्पादन पैमाने (व्यास. 1200 मिमी बेलनाकार) तक स्केल की गई मात्रा।
स्रोत पोर्ट लेआउट:तृतीय-पक्ष आयन स्रोतों, प्लाज्मा-सहायता जमाव (पीएडी), या आरएफ पूर्वाग्रह जनरेटर को एकीकृत करने के लिए कस्टम निकला हुआ किनारा स्थिति।
लोड करें-लॉक एकीकरण:ऑक्सीकरण को रोकने के लिए मैन्युअल लोड {{0} लॉक, सिंगल {{1} वेफर लोड {{2} लॉक, या मल्टी {3} चैम्बर क्लस्टर टूल कॉन्फ़िगरेशन।
गुणवत्ता नियंत्रण एवं वैश्विक अनुपालन
वैश्विक विद्युत एवं सुरक्षा अनुपालन:यूएल 508ए/एनएफपीए 79 (उत्तरी अमेरिका), सीई (यूरोप), और एसईएमआई एस2/एस8 ईएचएस दिशानिर्देशों के अनुसार निर्मित नियंत्रण कैबिनेट।
वैक्यूम परीक्षण:वेल्डेड चैंबर सतह परिष्करण से पहले हीलियम मास स्पेक्ट्रोमीटर रिसाव का पता लगाने से गुजरते हैं।
आयामी निरीक्षण:स्रोत माउंटिंग विमानों और सब्सट्रेट सहनशीलता का समन्वय मापने वाली मशीन (सीएमएम) सत्यापन।
फ़ैक्टरी स्वीकृति परीक्षण (एफएटी):72-घंटे लगातार शुष्क-रन टेस्ट रिकॉर्डिंग बेस प्रेशर क्षय, पंप-डाउन कर्व्स, और पीएलसी रिस्पॉन्स लॉग।
स्थापना एवं तकनीकी सहायता
प्री-इंस्टॉलेशन इंजीनियरिंग:सुविधा आवश्यकता मैनुअल (उपयोगिताएँ, ठंडा जल प्रवाह/दबाव, निकास वेंटिलेशन, क्लीनरूम फर्श लोडिंग) का प्रावधान।
-साइट कमीशनिंग पर:फील्ड सर्विस इंजीनियर हेराफेरी, वैक्यूम लाइन हुकअप, इलेक्ट्रिकल टाई इन और प्रारंभिक पंप डाउन की देखरेख करते हैं।
प्रक्रिया ट्यूनिंग सहायता:फिल्म की एकरूपता और जमाव दर को सत्यापित करने के लिए ग्राहक इंजीनियरिंग टीमों के साथ सहयोगात्मक परीक्षण चलता है।
जीवनचक्र समर्थन:वास्तविक समय पीएलसी समस्या निवारण के लिए रिमोट डायग्नोस्टिक्स मॉड्यूल एकीकरण, स्थानीयकृत स्पेयर पार्ट्स इन्वेंट्री द्वारा समर्थित।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्नों
प्रश्न: कस्टम सिस्टम के लिए लीड टाइम क्या है?
ए: वैक्यूम पंप लीड समय के आधार पर मानक कॉन्फ़िगरेशन के लिए ड्राइंग अनुमोदन से लेकर फैक्ट्री की तैयारी तक 16 से 24 सप्ताह की आवश्यकता होती है।
प्रश्न: बहु{{1}स्रोत सह{{2}निक्षेपण के दौरान क्रॉस{0}संदूषण का प्रबंधन कैसे किया जाता है?
ए: पार्टिकुलेट माइग्रेशन को रोकने के लिए चैंबर स्रोतों, व्यक्तिगत स्रोत शटर और दिशात्मक गैस वितरण रिंगों के बीच भौतिक परिरक्षण को शामिल करते हैं।
प्रश्न: क्या इस उपकरण को क्लीनरूम सुविधा में एकीकृत किया जा सकता है?
उत्तर: हाँ. सिस्टम दीवार (पीला कमरा/क्लीनरूम) की स्थापना के माध्यम से, प्रक्रिया कक्ष को क्लीनरूम के अंदर और उपयोगिता रैक को सर्विस चेज़ में रखने में सहायता करता है।
प्रश्न: डिलीवरी से पहले कौन सी उपयोगिता आवश्यकताएँ तैयार की जानी चाहिए?
A: Requirements include 3-phase power (configured to local 480V/380V standards), chilled cooling water (18 deg.C to 22 deg.C, >= 3 बार), संपीड़ित हवा (6 बार सूखी/फ़िल्टर), और एक समर्पित रफिंग पंप निकास लाइन।
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