उत्पाद अवलोकन

 

IAE {{0}श्रृंखला आयन {{1}सहायक वाष्पीकरण पतली फिल्म उपकरण भौतिक वाष्प जमाव (PVD) को वास्तविक {{2}समय आयन बीम बमबारी के साथ एकीकृत करता है। थर्मल या इलेक्ट्रॉन बीम वाष्पीकरण के दौरान ऊर्जावान आयनों को सब्सट्रेट पर निर्देशित करके, सिस्टम बढ़ती हुई फिल्म के माइक्रोस्ट्रक्चर को पुनर्गठित करते हुए, संघनक एडाटम्स में गति स्थानांतरित करता है।


यह गतिज ऊर्जा स्थानांतरण स्तंभ के रिक्त स्थान को समाप्त करता है, नमी के अवशोषण को दबाता है, और परिवेश की आर्द्रता में बदलाव के खिलाफ अपवर्तक सूचकांक को बंद कर देता है। ऑप्टिकल और सेमीकंडक्टर उत्पादन लाइनों में निरंतर बहु-शिफ्ट ऑपरेशन के लिए निर्मित, प्लेटफ़ॉर्म उच्च-परिशुद्धता वाले लेजर ऑप्टिक्स से लेकर सिलिकॉन वेफर्स तक के सब्सट्रेट को संभालता है।

 
  • आयन-सहायक वैक्यूम वाष्पीकरण उपकरण
    आयन {{0}असिस्टेड वैक्यूम वाष्पीकरण प्रणाली उच्च {{1}वैक्यूम थर्मल या इलेक्ट्रॉन {{2}बीम वाष्पीकरण स्रोतों को कॉफमैन {{3} प्रकार या एंड {{4} हॉल आयन स्रोत के साथ एकीकृत करती है। भौतिक वाष्प जमाव...
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  • आयन-असिस्टेड थिन फिल्म डिपोजिशन सिस्टम
    आयन {{0}असिस्टेड थिन फिल्म डिपोजिशन सिस्टम मल्टी{{1}पॉकेट इलेक्ट्रॉन {{2}बीम/थर्मल वाष्पीकरण को उच्च {{3}प्रदर्शन अंत {{4}हॉल या कॉफमैन - प्रकार के आयन स्रोत के साथ एकीकृत करता है। भौतिक वाष्प...
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  • आयन बीम सहायता प्राप्त वाष्पीकरण उपकरण
    आईबीएई प्रणाली एक एकीकृत व्यापक बीम आयन स्रोत के साथ इलेक्ट्रॉन {{0}बीम या थर्मल वाष्पीकरण को जोड़ती है। फिल्म के विकास के दौरान एक साथ आयन बमबारी गतिज ऊर्जा को संघनित एडाटम्स में स्थानांतरित करती...
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  • आयन-सहायक पतली फिल्म निक्षेपण उपकरण
    IA {{0}श्रृंखला आयन {{1}असिस्टेड थिन फिल्म डिपोजिशन उपकरण इलेक्ट्रॉन {{2}बीम थर्मल वाष्पीकरण को कॉफमैन या एंड {{3}हॉल आयन स्रोत के साथ एकीकृत करता है। जमाव के दौरान ऊर्जावान आयन बमबारी...
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  • आयन-सहायक वाष्पीकरण पतली फिल्म प्रणाली
    आयन -सहायक वाष्पीकरण (आईएई) पतली फिल्म प्रणाली ऊर्जावान आयन किरण बमबारी के साथ भौतिक वाष्प जमाव (पीवीडी) को एकीकृत करती है। थर्मल या इलेक्ट्रॉन {{2}बीम वाष्पीकरण के दौरान, एक सहायक कॉफ़मैन या...
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  • आयन-सहायक वाष्पीकरण पतली फिल्म उपकरण
    औद्योगिक{{0}ग्रेड आयन{{1}असिस्टेड वाष्पीकरण (IAE) प्रणाली मल्टी{2}पॉकेट इलेक्ट्रॉन{{3}बीम वाष्पीकरण को एक ऊर्जावान आयन बीम स्रोत (अंत{{4}हॉल या कॉफमैन कॉन्फ़िगरेशन) के साथ एकीकृत करती है। वास्तविक...
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तकनीकी निर्देश

 

पैरामीटर

विनिर्देश

अंतिम आधार दबाव

< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (achieved within 45 mins via cryogenic/turbomolecular pumping)

वाष्पीकरण स्रोत

मल्टी-पॉकेट ई-बीम गन (4 × 15सीसी से 40सीसी) और प्रतिरोधक तापीय स्रोत

आयन स्रोत प्रकार

ग्रिड रहित अंत-हॉल / कॉफमैन-प्रकार आयन स्रोत (बीम वोल्टेज: 50 - 1500 वी, आयन धारा: 0.1 - 3 ए)

फिल्म की मोटाई नियंत्रण

क्वार्ट्ज क्रिस्टल माइक्रोबैलेंस (क्यूसीएम) + ऑप्टिकल मॉनिटरिंग सिस्टम (ओएमएस), परिशुद्धता ± 0.1 एनएम

सब्सट्रेट फिक्स्चर

ग्रहीय घूर्णन स्थिरता, सब्सट्रेट ज्यामिति के लिए अनुकूलित गुंबद त्रिज्या

सब्सट्रेट तापन

रेडियंट हीटर ऐरे, ± 2 डिग्री पीआईडी ​​एकरूपता के साथ 350 डिग्री तक

नियंत्रण वास्तुकला

पीएलसी + औद्योगिक पीसी, स्वचालित रेसिपी निष्पादन, एसईसीएस/जीईएम अनुरूप डेटा लॉगिंग

 

आयन-सहायक निक्षेपण प्रक्रिया

 

वाष्प उत्पादन:

सामग्री को नियंत्रित जमाव दर (0.1 - 2.0 एनएम/सेकेंड) पर ई-बीम क्रूसिबल या थर्मल बोट से वाष्पित किया जाता है।

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संवेग स्थानांतरण:

ऊर्जावान आयन (Ar⁺, O⁺) सब्सट्रेट सतह पर ई-बीम या थर्मल स्रोत से आने वाले वाष्प प्रवाह के साथ समवर्ती रूप से बमबारी करते हैं।

02

सूक्ष्म संरचना संशोधन:

आयन प्रभाव एडाटम सतह की गतिशीलता को बढ़ाता है, स्तंभ के आकार के अनाज के विकास को रोकता है और लगभग {{0}थोक घनत्व (पैकिंग घनत्व> 99%) प्राप्त करता है।

03

स्टोइकोमेट्री सुधार:

प्रतिक्रियाशील आयन सहायता (O₂) धातु ऑक्साइड फिल्मों (उदाहरण के लिए, Ta₂O₅, Nb₂O₅, SiO₂) में उप-{0}ऑक्साइड का पूर्ण ऑक्सीकरण सुनिश्चित करती है, जिससे UV -NIR स्पेक्ट्रम में अवशोषण बैंड समाप्त हो जाते हैं।

04

 

फ़िल्म सामग्री
 
 

ऑक्साइड:

SiO₂, Ta₂O₅, TiO₂, Nb₂O₅, HfO₂ (ऑप्टिकल फिल्टर के लिए उच्च अपवर्तक सूचकांक स्थिरता)।

 
 
 

फ्लोराइड्स:

MgF₂, LaF₃ (ब्रॉडबैंड AR कोटिंग्स के लिए कम अपवर्तक सूचकांक परतें)।

 
 
 

धातु:

अल, एजी, एयू, टीआई (आसंजन परतें और धातु परावर्तक)।

 

 

अनुप्रयोग

लेजर और परिशुद्धता प्रकाशिकी:

बैंडपास फिल्टर, डाइक्रोइक मिरर और लेजर सुरक्षात्मक कोटिंग्स के लिए उच्च लेजर प्रेरित क्षति सीमा (एलआईडीटी) और थर्मल तनाव के तहत शून्य वर्णक्रमीय बदलाव की आवश्यकता होती है।

LiDAR कवर ग्लास:

कठोर बाहरी मौसम के प्रति प्रतिरोधी, टिकाऊ एंटी-{0}}रिफ्लेक्टिव (एआर) और एंटी-गंदगी-रोधी पतली फिल्में।

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सेमीकंडक्टर पैकेजिंग:

कम सब्सट्रेट तापमान पर जमा नमी -बाधा एनकैप्सुलेशन परतें और धातु संपर्क पैड।

बायोमेडिकल सेंसर:

डायग्नोस्टिक माइक्रोफ्लुइडिक चिप्स के लिए बायोकम्पैटिबल ऑप्टिकल इंटरफेरेंस कोटिंग्स।

 

 
 
अनुकूलन

चैंबर्स और आंतरिक लेआउट को विशिष्ट विनिर्माण पदचिह्नों और प्रक्रिया आवश्यकताओं के अनुसार इंजीनियर किया जाता है:

01.

चैम्बर आयाम:

R=600 मिमी R&D इकाइयों से R=1200 मिमी ऊंची-क्षमता वाली उत्पादन प्रणालियों तक स्केलेबल।

02.

पम्पिंग पैकेज:

गैस लोड आवश्यकताओं के आधार पर मैग्लेव टर्बोमोलेक्यूलर पंप, क्रायोपंप और रूट्स ब्लोअर बैकिंग लाइनों के साथ कॉन्फ़िगर करने योग्य।

03.

स्रोत एकीकरण:

जटिल मिश्रधातु और बहु{2}परत ग्रेडिएंट फिल्मों के लिए दोहरे {{0}आयन स्रोत विन्यास या सह-{1}निक्षेपण सेटअप।

04.

स्वचालन स्तर:

स्वचालित क्लीनरूम सब्सट्रेट ट्रांसफर सिस्टम (ईएफईएम / वैक्यूम क्लस्टर टूल्स) के साथ एकीकरण।

 

गुणवत्ता नियंत्रण
 

रिसाव का पता लगाना:

प्रत्येक निर्वात कक्ष का हीलियम रिसाव का परीक्षण मास स्पेक्ट्रोमीटर (रिसाव दर < 1.0 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s) का उपयोग करके किया जाता है।

घटक ट्रैसेबिलिटी:

वैक्यूम वाल्व, द्रव्यमान प्रवाह नियंत्रक (एमएफसी), और योग्य टियर -1 औद्योगिक ब्रांडों (एमकेएस, इन्फ़िकॉन, वैट) से प्राप्त बिजली आपूर्ति।

फ़ैक्टरी स्वीकृति परीक्षण (एफएटी):

शिपमेंट से पहले आधार दबाव, पंपिंग वक्र, स्रोत स्थिरता और 24{2}} घंटे लगातार खाली-कक्ष सहनशीलता की पुष्टि करने वाले परीक्षण चलाएं।

मेट्रोलॉजी सत्यापन:

नमूना स्पेक्ट्रोफोटोमीटर (संचारण/परावर्तन) और परमाणु बल माइक्रोस्कोपी (सतह खुरदरापन रा <0.5 एनएम) के माध्यम से सत्यापित किया जाता है।

 

स्थापना एवं तकनीकी सहायता
 
 
 

साइट तैयारी गाइड:

डिलीवरी से पहले प्रदान की गई व्यापक उपयोगिता आवश्यकताएँ (ठंडा पानी का प्रवाह/दबाव, क्लीनरूम संपीड़ित हवा, बिजली वितरण, निकास वेंटिंग)।

 
 

टर्नकी कमीशनिंग:

फील्ड सर्विस इंजीनियर साइट पर मैकेनिकल असेंबली, वैक्यूम बेकआउट, आयन बीम कैलिब्रेशन और प्रारंभिक प्रक्रिया रेसिपी साइनऑफ का काम संभालते हैं।

 
 

ऑपरेटर प्रशिक्षण:

नियमित रखरखाव, वैक्यूम सुरक्षा, सॉफ्टवेयर संचालन और समस्या निवारण को कवर करने वाले प्रशिक्षण पर संरचित हाथ।

 
 

जीवनचक्र समर्थन:

तीव्र सॉफ़्टवेयर समस्या निवारण के लिए रिमोट डायग्नोस्टिक इंटरफ़ेस; महत्वपूर्ण पहनने वाली वस्तुओं (फिलामेंट्स, क्रूसिबल, शील्ड) का क्षेत्रीय स्टॉक 48 घंटों के भीतर भेज दिया गया।

 

 

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

 

 

प्रश्न: आयन सहायता ऑप्टिकल फिल्टर में वर्णक्रमीय बदलाव को कैसे रोकती है?

ए: पारंपरिक थर्मल वाष्पीकरण फिल्म में सूक्ष्म रिक्तियां छोड़ देता है, जो परिवेश की नमी को अवशोषित करती है, जिससे भौतिक मोटाई और अपवर्तक सूचकांक बदल जाता है। आयन बमबारी फिल्म पैकिंग घनत्व को 99% से ऊपर बढ़ा देती है, नमी के प्रवेश के खिलाफ माइक्रोस्ट्रक्चर को सील कर देती है और विभिन्न आर्द्रता वाले वातावरण में स्थिर ऑप्टिकल मापदंडों को लॉक कर देती है।

प्रश्न: आयन स्रोत ग्रिड के लिए विशिष्ट रखरखाव अंतराल क्या है?

उत्तर: प्रक्रिया गैसों (Ar बनाम प्रतिक्रियाशील O₂) और परिचालन शक्ति के आधार पर, हर 150 से 300 प्रसंस्करण घंटों में ग्रिड रखरखाव की आवश्यकता होती है। ग्रिडलेस एंड-हॉल डिज़ाइन स्पटरिंग घिसाव के अधीन भौतिक ग्रिड को समाप्त करके परिचालन खिड़कियों को महत्वपूर्ण रूप से विस्तारित करता है।

प्रश्न: क्या यह उपकरण मौजूदा फ़ैक्टरी स्वचालन के साथ एकीकृत हो सकता है?

उत्तर: हाँ. नियंत्रण सॉफ्टवेयर SECS/GEM और OPC UA प्रोटोकॉल का समर्थन करता है, जो रेसिपी प्रबंधन और लॉट ट्रैकिंग के लिए विनिर्माण निष्पादन प्रणाली (एमईएस) से सीधे कनेक्शन की अनुमति देता है।

हम चीन में अग्रणी आयन सहायक वाष्पीकरण पतली फिल्म उपकरण निर्माताओं और आपूर्तिकर्ताओं में से एक के रूप में जाने जाते हैं। यदि आप चीन में बने अनुकूलित आयन {{3}सहायक वाष्पीकरण पतली फिल्म उपकरण खरीदने जा रहे हैं, तो हमारे कारखाने से मूल्य सूची प्राप्त करने के लिए आपका स्वागत है। मूल्य परामर्श के लिए, हमसे संपर्क करें।

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